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晶体管
DMN1032UCB4-7参考图片

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DMN1032UCB4-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 20V N-Ch Enh Mode FET 12V 8Vgss 0.9W
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数量单价合计
1
¥4.3844
4.3844
10
¥3.6612
36.612
100
¥2.2374
223.74
1,000
¥1.7289
1728.9
3,000
¥1.4803
4440.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
U-WLB1010-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Id-连续漏极电流
4.8 A
Rds On-漏源导通电阻
38 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
3.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.16 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMN10
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.6 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
24 ns
典型接通延迟时间
3.3 ns
商品其它信息
优势价格，DMN1032UCB4-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STL19N65M5
STMicroelectronics
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MOSFET N-Ch 650V 0.215 Ohm typ. 12.5A MDmeshM5
1:¥24.3628
10:¥20.7468
100:¥17.9783
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100:¥1,232.8187
参考库存:37008
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