您好!欢迎来到宝华芯城 登录 注册

产品分类

晶体管
QPD1025参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

QPD1025

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1-1.1GHz 1800 Watt Gain 22.5dB 65V GaN
  • 数据手册下载
购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • 公司名:
  • *联系人:
  • *电话:
  • *邮箱:
   微信:      QQ:
库存:41,565(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6,170.252
6170.252
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
GaN SiC
Id-连续漏极电流
28 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
22.5 dB
输出功率
1.862 kW
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
封装 / 箱体
NI-1230-4
封装
Tray
工作频率
1 GHz to 1.1 GHz
系列
QPD
类型
RF Power MOSFET
商标
Qorvo
通道数量
2 Channel
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
685 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
18
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 2.8 V
商品其它信息
优势价格,QPD1025的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 16A TO220-3 CoolMOS CP
1:¥26.3516
10:¥22.3627
100:¥19.436
250:¥18.4416
500:¥16.5206
参考库存:5662
晶体管
MOSFET PSMN6R9-100YSF SOT669/LFPAK
1:¥13.1419
10:¥11.1418
100:¥8.9157
500:¥7.8422
参考库存:25777
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 150MW 0.22K
3,000:¥0.65314
9,000:¥0.5989
24,000:¥0.56048
参考库存:25780
晶体管
IGBT 模块 MEDIUM POWER 62MM
1:¥1,260.8653
5:¥1,230.5926
10:¥1,200.0148
25:¥1,183.1778
参考库存:5178
晶体管
MOSFET CONSUMER
1:¥7.1416
10:¥6.102
100:¥4.6895
500:¥4.1471
1,000:¥3.277
参考库存:6166
  • 一站式采购
  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

深圳市毅创辉电子科技有限公司

电话:0755-82865099

手机:19129491934

传真:0755-83267787

Email: sunny@yichuanghui.com

Q Q:

地址:深圳市福田区华强北路宝华大厦A座2028


微信联系我们

QQ二维码

Copyright © 2010-2020 深圳市毅创辉电子科技有限公司 粤ICP备12090764号

24小时在线客服
热线电话

0755-82865099

微信联系我们 微信扫码联系我们