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晶体管
DMT34M1LPS-13参考图片

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DMT34M1LPS-13

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库存:19,246(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.4522
4.4522
10
¥3.7516
37.516
100
¥2.4182
241.82
1,000
¥1.9323
1932.3
2,500
¥1.9323
4830.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerDI5060-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
2.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
39 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
42 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
11.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
13.8 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
22.4 ns
典型接通延迟时间
5.6 ns
单位重量
97 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 6-Pin
1:¥2.6894
10:¥1.8758
100:¥0.78422
1,000:¥0.53788
10,000:¥0.3616
20,000:查看
参考库存:11207
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT PNP
1:¥2.4634
10:¥1.695
100:¥0.69156
1,000:¥0.53788
8,000:¥0.3842
24,000:查看
参考库存:21822
晶体管
MOSFET N-channel 600V, 21A FDMesh II
1:¥53.7089
10:¥48.5674
25:¥46.2622
100:¥40.1828
1,000:¥30.51
参考库存:3172
晶体管
MOSFET CONSUMER
1:¥8.2942
10:¥7.1077
100:¥5.4579
500:¥4.8251
1,000:¥3.8081
参考库存:2714
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18S262W12N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
1:¥625.6358
5:¥614.1098
10:¥586.5152
25:¥566.921
参考库存:21829
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