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晶体管
DMP2010UFG-7参考图片

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DMP2010UFG-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 20V P-Ch Enh FET 10Vgss -80A Idm
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数量单价合计
1
¥5.989
5.989
10
¥5.0059
50.059
100
¥3.2318
323.18
1,000
¥2.5764
2576.4
2,000
¥2.5764
5152.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerDI3333-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
42 A
Rds On-漏源导通电阻
12.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
103 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
900 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMP2010
商标
Diodes Incorporated
下降时间
110 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
30 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
235 ns
典型接通延迟时间
9.7 ns
单位重量
72 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
HGTG30N60A4
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
IGBT 晶体管 600V N-Channel IGBT SMPS Series
1:¥50.1042
10:¥45.3356
25:¥43.1886
100:¥37.4934
参考库存:5142
SMMBT3904LT1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS GP XSTR SPCL TR
1:¥2.147
10:¥1.4577
100:¥0.60681
1,000:¥0.41471
3,000:¥0.32318
参考库存:343360
FGB5N60UNDF
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
IGBT 晶体管 600V 5A NPT IGBT
1:¥13.7521
10:¥11.6842
100:¥9.2999
500:¥8.1473
800:¥6.78
参考库存:6313
MJL4281AG
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 15A 350V 230W NPN
1:¥45.6407
10:¥41.2676
25:¥39.3466
100:¥34.1938
参考库存:5218
PHP45NQ10T,127
Nexperia
晶体管
MOSFET RAIL PWR-MOS
1:¥11.752
10:¥9.9892
100:¥7.9891
500:¥6.9947
参考库存:9135
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