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晶体管
DMP2010UFG-7参考图片

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DMP2010UFG-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 20V P-Ch Enh FET 10Vgss -80A Idm
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数量单价合计
1
¥5.989
5.989
10
¥5.0059
50.059
100
¥3.2318
323.18
1,000
¥2.5764
2576.4
2,000
¥2.5764
5152.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerDI3333-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
42 A
Rds On-漏源导通电阻
12.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
103 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
900 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMP2010
商标
Diodes Incorporated
下降时间
110 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
30 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
235 ns
典型接通延迟时间
9.7 ns
单位重量
72 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FGH60N60SFDTU-F085
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
IGBT 晶体管 N-Ch 60A 600V FS IGBT
1:¥48.7934
10:¥44.1039
25:¥42.036
100:¥36.499
参考库存:4927
DDTC114GUA-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 10K
1:¥1.8419
10:¥1.243
100:¥0.52206
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:7906
PMST2222A,115
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN SW 600mA 40V
1:¥1.7628
10:¥1.2204
100:¥0.50737
1,000:¥0.34578
3,000:¥0.27685
参考库存:5375
BUJ303A,127
WeEn Semiconductors
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) RAIL BIPOLAR
1:¥6.3732
10:¥5.1528
100:¥3.2996
1,000:¥2.6894
参考库存:4851
APT13005SU-G1
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 450V NPN High Volt 700Vces 450Vceo 3.2A
1:¥3.3787
10:¥2.7459
100:¥1.6724
1,000:¥1.2995
4,000:¥1.10627
参考库存:8744
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