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晶体管
CSD19531KCS参考图片

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CSD19531KCS

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 100V 6.4mOhm Pwr MOSFET
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库存：4,015(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥14.2945
14.2945
10
¥12.1362
121.362
100
¥9.6841
968.41
500
¥8.4524
4226.2
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
200 A
Rds On-漏源导通电阻
7.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
38 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
179 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Tube
高度
16.51 mm
长度
10.67 mm
系列
CSD19531KCS
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.7 mm
商标
Texas Instruments
下降时间
4.1 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.2 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
16 ns
典型接通延迟时间
8.4 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，CSD19531KCS的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STP11NK50Z
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 500 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
1:¥16.5206
10:¥14.0572
100:¥11.30
500:¥9.831
参考库存:1444
BDX33BG
ON Semiconductor
晶体管
达林顿晶体管 10A 80V Bipolar Power NPN
1:¥6.9156
10:¥5.7178
100:¥3.6838
1,000:¥2.9493
参考库存:2160
TK14N65W5,S1F
Toshiba
晶体管
MOSFET Power MOSFET N-Channel
1:¥34.804
10:¥27.9675
100:¥25.5154
250:¥24.4306
参考库存:27410
PDTC143ZQAZ
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PDTC143ZQA/DFN1010D-3/REEL 7
1:¥2.0001
10:¥1.3108
100:¥0.5537
1,000:¥0.37629
5,000:¥0.29154
参考库存:6086
PDTA123YT,215
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7
1:¥1.3108
10:¥1.1639
100:¥0.41471
1,000:¥0.27685
3,000:¥0.2147
参考库存:7124
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