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晶体管
SIRA14DP-T1-GE3参考图片

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SIRA14DP-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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库存:7,856(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.2997
5.2997
10
¥4.3053
43.053
100
¥3.2657
326.57
500
¥2.7007
1350.35
1,000
¥2.1583
2158.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
58 A
Rds On-漏源导通电阻
4.25 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V, - 16 V
Qg-栅极电荷
29 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
31.2 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
6.15 mm
系列
SIR
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
65 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18 ns
典型接通延迟时间
9 ns
零件号别名
SIRA14DP-GE3
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格,SIRA14DP-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
1:¥10.7576
10:¥9.1417
100:¥7.0286
500:¥6.2037
参考库存:29565
晶体管
MOSFET SO-8
1:¥12.5204
10:¥10.5994
100:¥8.5315
500:¥7.4354
2,500:¥5.7291
5,000:查看
参考库存:3831
晶体管
MOSFET N-CH 100V HEXFET MOSFET
1:¥17.2099
10:¥13.9894
100:¥12.5995
500:¥9.9101
1,000:¥8.2942
参考库存:5046
晶体管
JFET JFET N-Channel -20V 10mA 300mW 2.4mW
1:¥156.9796
10:¥132.0066
100:¥121.4863
250:¥110.7287
参考库存:1818
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1310H/CFM4F///REEL 13
1:¥855.2292
5:¥838.5504
10:¥810.888
25:¥776.6264
参考库存:1741
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