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晶体管
SQJ946EP-T1_GE3参考图片

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SQJ946EP-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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数量单价合计
1
¥6.5314
6.5314
10
¥5.2319
52.319
100
¥3.9776
397.76
500
¥3.277
1638.5
1,000
¥2.6329
2632.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8L-4
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
15 A
Rds On-漏源导通电阻
27 mOhms, 27 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
20 nC, 20 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
27 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SQ
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
29 S, 29 S
下降时间
2 ns, 2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3 ns, 3 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14 ns, 14 ns
典型接通延迟时间
7 ns, 7 ns
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格，SQJ946EP-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FF150R17ME3G
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.7KV 240A
1:¥911.4015
5:¥893.491
10:¥851.8505
25:¥833.94
参考库存:2855
NVMFS5C426NAFT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET T6-D3F 40V NFET
1:¥13.5261
10:¥11.526
100:¥9.2208
500:¥8.0682
1,500:¥6.2376
4,500:查看
参考库存:3087
IPP60R099P7XKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥33.6514
10:¥28.589
100:¥24.747
250:¥23.5153
参考库存:3777
SIRA58ADP-T1-RE3
Vishay
晶体管
MOSFET 40V Vds 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥9.2208
10:¥7.6275
100:¥5.8421
500:¥5.0285
3,000:¥3.7064
6,000:查看
参考库存:7851
PSMN014-40YS,115
Nexperia
晶体管
MOSFET N-CHAN 40V 32A
1:¥3.842
10:¥3.1979
100:¥1.9549
1,000:¥1.5029
1,500:¥1.5029
参考库存:4359
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