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晶体管
SSM6N37FE,LM参考图片

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SSM6N37FE,LM

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET SM Sig MOS 2 in 1 N-Ch 0.25A 20V -10V
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数量单价合计
1
¥3.4578
3.4578
10
¥1.921
19.21
100
¥0.84524
84.524
1,000
¥0.69156
691.56
4,000
¥0.53788
2151.52
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ES6-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
250 mA
Rds On-漏源导通电阻
2.2 Ohms, 2.2 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
350 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
150 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.55 mm
长度
1.6 mm
系列
SSM6N37
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
1.2 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
36 ns, 36 ns
典型接通延迟时间
18 ns, 18 ns
单位重量
36 mg
商品其它信息
优势价格,SSM6N37FE,LM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
1:¥3.5369
10:¥2.938
100:¥1.7967
1,000:¥1.3899
3,000:¥1.1865
参考库存:5000
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双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS NPN 200mW
1:¥1.6159
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.24634
参考库存:21862
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP BJT NPN 12V 2A
1:¥4.3053
10:¥3.5595
100:¥2.1696
1,000:¥1.6724
2,000:¥1.4238
参考库存:3492
晶体管
MOSFET NFET 30V 35A 15MOHM
1:¥5.3788
10:¥4.4748
100:¥2.8928
1,000:¥2.3052
参考库存:4372
晶体管
MOSFET 20V 4.1A P-channel Trench MOSFET
1:¥3.7629
10:¥2.6103
100:¥1.1978
1,000:¥0.92208
3,000:¥0.78422
参考库存:4776
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