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晶体管

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APTGT35H120T3G

  • Microsemi
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  • IGBT 模块 Power Module - IGBT
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库存:2,468(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥543.0328
543.0328
5
¥526.0489
2630.2445
10
¥510.0594
5100.594
25
¥487.0865
12177.1625
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Full Bridge
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
55 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
208 W
封装 / 箱体
SP3-32
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 100 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,APTGT35H120T3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 46A TO247-3 CoolMOS C7
1:¥81.4504
10:¥74.919
25:¥71.7663
100:¥63.2348
参考库存:8668
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANSISTOR
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:34678
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥3,174.4186
5:¥3,130.6876
10:¥3,021.1228
25:¥2,911.6258
参考库存:4038
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 60 V, 27 mOhm typ., 20 A STripFET II Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
1:¥8.9948
10:¥7.684
100:¥5.9212
500:¥5.2319
3,000:¥3.6612
9,000:查看
参考库存:4094
晶体管
MOSFET N-Ch 800 Volt 5.2 A Zener SuperMESH
1:¥19.0518
10:¥16.1364
100:¥12.9046
500:¥11.3678
参考库存:5039
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