您好!欢迎来到宝华芯城 登录 注册

产品分类

晶体管

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

APTGT35H120T3G

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 模块 Power Module - IGBT
  • 数据手册下载
购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • 公司名:
  • *联系人:
  • *电话:
  • *邮箱:
   微信:      QQ:
库存:2,468(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥543.0328
543.0328
5
¥526.0489
2630.2445
10
¥510.0594
5100.594
25
¥487.0865
12177.1625
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Full Bridge
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
55 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
208 W
封装 / 箱体
SP3-32
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 100 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,APTGT35H120T3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN Digital Transtr w/built in resistors
1:¥1.2317
10:¥1.09158
100:¥0.3842
1,000:¥0.26103
3,000:¥0.20001
参考库存:25378
晶体管
达林顿晶体管 15A 150V Bipolar Power PNP
1:¥26.1256
10:¥22.2045
100:¥19.2891
250:¥18.2834
500:¥16.4415
参考库存:4493
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥34.578
10:¥28.815
25:¥25.8996
50:¥23.052
参考库存:4438
晶体管
达林顿晶体管 NPN Transistor Darlington
1:¥2.8476
10:¥2.0114
100:¥0.92208
1,000:¥0.71416
3,000:¥0.60681
参考库存:13021
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP Digital Transtr w/built in resistors
1:¥1.5368
10:¥1.03734
100:¥0.43844
1,000:¥0.29945
8,000:¥0.20001
24,000:查看
参考库存:20206
  • 一站式采购
  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

深圳市毅创辉电子科技有限公司

电话:0755-83266697

手机:19129493934

传真:0755-83267787

Email: lucy@yichuanghui.com

Q Q:

地址:深圳市福田区华强北路宝华大厦A座2028


微信联系我们

QQ二维码

Copyright © 2010-2020 深圳市毅创辉电子科技有限公司 粤ICP备12090764号

24小时在线客服
热线电话

0755-83266697

微信联系我们 微信扫码联系我们