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晶体管
IGB30N60H3参考图片

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IGB30N60H3

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600v Hi-Speed SW IGBT
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库存:4,329(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥20.4417
20.4417
10
¥17.3681
173.681
100
¥15.0629
1506.29
250
¥14.2945
3573.625
1,000
¥10.8367
10836.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-263-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
187 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
HighSpeed 3
封装
Cut Tape
封装
Reel
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGB30N60H3ATMA1 IGB3N6H3XT SP000852240
单位重量
2.200 g
商品其它信息
优势价格,IGB30N60H3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V, N-Channel NexFET Power Mosfet
1:¥4.3844
10:¥3.616
100:¥2.3391
250:¥2.3391
1,000:¥1.8758
参考库存:34025
晶体管
MOSFET 20V P CH MOSFET
1:¥2.9154
10:¥2.2261
100:¥1.1978
250:¥1.1978
1,000:¥0.89948
参考库存:6082
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
1:¥59.9352
10:¥53.9462
25:¥49.0985
100:¥44.3412
参考库存:3251
晶体管
MOSFET N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified
1:¥4.2262
10:¥3.6838
100:¥2.8928
500:¥2.1244
3,000:¥1.4577
6,000:查看
参考库存:112367
晶体管
MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
1:¥7.8422
10:¥6.4862
100:¥4.9833
500:¥4.2827
1,000:¥3.3787
3,000:¥3.3787
参考库存:8643
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