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晶体管
SIHG23N60E-GE3参考图片

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SIHG23N60E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
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库存：3,094(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥39.7308
39.7308
10
¥35.4255
354.255
100
¥29.041
2904.1
250
¥26.9731
6743.275
500
¥23.5153
11757.65
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247AC-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
23 A
Rds On-漏源导通电阻
158 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
63 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
227 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
E
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
34 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
38 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
66 ns
典型接通延迟时间
22 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，SIHG23N60E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
APTGV50H60BT3G
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参考库存:30696
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