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晶体管
SQS420EN-T1_GE3参考图片

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SQS420EN-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 20V 8A 18W AEC-Q101 Qualified
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库存:4,584(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.2207
7.2207
10
¥5.9099
59.099
100
¥4.5313
453.13
500
¥3.8985
1949.25
3,000
¥2.8702
8610.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-1212-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
8 A
Rds On-漏源导通电阻
23.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
450 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
14 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
18 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
3.3 mm
系列
SQ
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
36 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
21 ns
典型接通延迟时间
8 ns
商品其它信息
优势价格,SQS420EN-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET SO-8 DUAL N-CH
1:¥6.6105
10:¥5.4805
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
2,500:¥2.3843
参考库存:3492
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS BR XSTR DUAL 50V
1:¥2.5312
10:¥1.6724
100:¥0.71416
1,000:¥0.5537
3,000:¥0.41471
参考库存:16837
晶体管
MOSFET MOSFET, Single P-Ch, -20V, -6.5A
1:¥4.5313
10:¥3.5369
100:¥2.4408
500:¥1.6724
3,000:¥1.12209
9,000:查看
参考库存:12002
晶体管
MOSFET 400V N-CH MOSFET
1:¥5.763
10:¥4.7799
100:¥3.0849
1,000:¥2.4634
2,500:¥2.4634
参考库存:6190
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor Epitaxial
1:¥4.6895
10:¥3.842
100:¥2.4747
1,000:¥1.9775
2,500:¥1.6724
参考库存:6487
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