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晶体管
RGTV60TS65DGC11参考图片

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RGTV60TS65DGC11

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 650V 30A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
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库存:2,973(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥38.42
38.42
10
¥32.5779
325.779
100
¥28.2726
2827.26
250
¥26.8149
6703.725
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247N-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
194 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
60 A
商标
ROHM Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
200 nA
产品类型
IGBT Transistors
子类别
IGBTs
零件号别名
RGTV60TS65D
商品其它信息
优势价格,RGTV60TS65DGC11的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-CHANNEL 30/40V
1:¥19.436
10:¥16.5206
100:¥13.221
500:¥11.526
1,000:¥9.5259
参考库存:4133
晶体管
IGBT 晶体管 15A 600V IGBT
1:¥11.8311
10:¥10.0683
100:¥8.0682
500:¥7.0625
1,000:¥5.8534
参考库存:3735
晶体管
MOSFET N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS
1:¥11.30
10:¥9.605
100:¥7.684
500:¥6.7348
5,000:¥5.0059
参考库存:13124
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 20V NPN Low AAT 40V 1A Schottky Dual
1:¥8.2264
10:¥7.0173
100:¥5.3901
500:¥4.7686
1,000:¥3.7629
3,000:¥3.7629
参考库存:6119
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SOT563 DUL BRT TR
1:¥2.9945
10:¥2.2487
100:¥1.2204
1,000:¥0.91417
8,000:¥0.73789
24,000:查看
参考库存:11101
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