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晶体管
STGW30NC60WD参考图片

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STGW30NC60WD

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 PowerMESH&#34 IGBT
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库存:2,071(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥32.4988
32.4988
10
¥27.6624
276.624
100
¥23.9786
2397.86
250
¥22.7469
5686.725
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.1 V
栅极/发射极最大电压
20 V
Pd-功率耗散
200 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGW30NC60WD
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
60 A
高度
20.15 mm
长度
15.75 mm
宽度
5.15 mm
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
30 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,STGW30NC60WD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel TrenchMOS intermed level FET
1:¥2.8476
10:¥1.9097
100:¥0.79891
1,000:¥0.54579
10,000:¥0.3616
20,000:查看
参考库存:23831
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
50:¥7.6388
100:¥5.876
500:¥5.1867
1,000:¥4.0906
参考库存:7221
晶体管
MOSFET 40V 175c N-Ch FET 8.6mOhm 10Vgs 45A
2,500:¥4.0341
参考库存:23836
晶体管
MOSFET N-Ch MOS 6.5A 450V 35W 540pF 1.2 Ohm
1:¥10.9158
10:¥8.7575
100:¥6.6783
500:¥5.8986
参考库存:23839
晶体管
JFET NCH J-FET+BIP NPN TR
3,000:¥1.6159
9,000:¥1.4577
24,000:¥1.3786
参考库存:180229
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