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晶体管
AUIRF3805L-7P参考图片

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AUIRF3805L-7P

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 2.6mOhms
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库存：1,857(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥33.2672
33.2672
10
¥28.2726
282.726
100
¥24.5097
2450.97
250
¥23.2102
5802.55
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-7
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
55 V
Id-连续漏极电流
240 A
Rds On-漏源导通电阻
2.6 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
130 nC
最小工作温度
- 55 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Tube
高度
4.4 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon / IR
下降时间
52 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
130 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
80 ns
典型接通延迟时间
23 ns
零件号别名
SP001515798
单位重量
1.600 g
商品其它信息
优势价格，AUIRF3805L-7P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FDMS0312AS
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET PT8 N 30/20 SYNCFET
1:¥4.6895
10:¥3.8985
100:¥2.373
1,000:¥1.8419
3,000:¥1.5707
参考库存:7751
NJW21193G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 200W PNP
1:¥30.4309
10:¥25.8996
100:¥22.4418
250:¥21.2892
参考库存:3656
2SB1122S-TD-E
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 1A 50V
1:¥3.1527
10:¥2.6555
100:¥1.6159
1,000:¥1.2543
2,000:¥1.06785
参考库存:8769
FQB55N10TM
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 100V N-Channel QFET
1:¥19.2891
10:¥16.3624
100:¥13.1419
500:¥11.4469
800:¥9.5259
参考库存:4588
IRF830ASPBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N-CH 500V HEXFET MOSFET D2-PA
1:¥13.3679
10:¥11.1418
100:¥8.6106
参考库存:4074
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