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晶体管
STW38N65M5参考图片

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STW38N65M5

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
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库存:4,927(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥70.6137
70.6137
10
¥63.7772
637.772
25
¥60.8618
1521.545
100
¥52.7936
5279.36
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
95 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
71 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
190 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
封装
Tube
系列
STW38N65M5
商标
STMicroelectronics
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,STW38N65M5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-CH 500V HEXFET MOSFET
1:¥55.709
10:¥50.172
25:¥45.7198
100:¥41.2676
参考库存:3370
晶体管
MOSFET DTMOSIV-High Speed 600V 88m (VGS=10V)
1:¥39.9568
10:¥32.1146
100:¥29.2783
250:¥26.4307
参考库存:4250
晶体管
MOSFET Pwr MOSFET 60V 2.2A 155mOhm SGL N-CH
1:¥2.9154
10:¥2.034
100:¥0.9379
1,000:¥0.72207
3,000:¥0.61472
参考库存:45680
晶体管
达林顿晶体管 2A 100V Bipolar Power NPN
1:¥4.3053
10:¥3.616
100:¥2.2035
1,000:¥1.7063
1,800:¥1.4577
参考库存:16547
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Ampl/Switch
1:¥24.2837
10:¥21.6734
100:¥19.7524
250:¥17.8314
参考库存:3309
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