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晶体管
A2T21H410-24SR6参考图片

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A2T21H410-24SR6

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21H410-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
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库存：29,909(价格仅供参考)
数量单价合计
150
¥1,282.0754
192311.31
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
1.6 A, 2.7 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 65 V
增益
15.6 dB
输出功率
72 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230S-4L2L-6
封装
Reel
工作频率
2.11 GHz to 2.17 GHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
150
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
零件号别名
935312756128
单位重量
8.604 g
商品其它信息
优势价格，A2T21H410-24SR6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMTH6016LK3Q-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥5.6048
10:¥4.6104
100:¥2.9719
1,000:¥2.3843
2,500:¥2.3843
参考库存:9046
SI7374DP-T1-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 30V 24A 56W 5.5mohm @ 10V
1:¥24.5097
10:¥20.2835
100:¥16.6788
250:¥16.2155
3,000:¥11.6051
6,000:查看
参考库存:7048
STP100N10F7
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 0.0068mOhm 80A STripFETVII 150W
1:¥18.0574
10:¥15.368
100:¥12.2944
500:¥10.7576
参考库存:5350
STGIPQ3H60T-HLS
STMicroelectronics
晶体管
IGBT 模块 SLLIMM nano 2nd series IPM, 3 A, 600 V, 3-phase IGBT inverter bridge
1:¥62.0822
10:¥56.0932
25:¥53.4829
100:¥46.4091
参考库存:18252
NVMFS5C423NLWFT3G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 40V 126A
5,000:¥3.7516
10,000:¥3.6047
25,000:¥3.4917
参考库存:18255
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