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晶体管
PD85004参考图片

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PD85004

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR TRANSISTOR
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库存:6,368(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥24.8148
24.8148
10
¥21.131
211.31
100
¥18.2834
1828.34
250
¥17.3681
4342.025
2,500
¥12.5204
31301
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
17 dB
输出功率
4 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-89-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
高度
1.6 mm
长度
4.6 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD85004
类型
RF Power MOSFET
宽度
2.6 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
6 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
15 V
单位重量
130.500 mg
商品其它信息
优势价格,PD85004的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel 900 V, 1.90 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
1:¥12.5995
10:¥10.6785
100:¥8.5315
500:¥7.5032
参考库存:2499
晶体管
MOSFET PCH 2.5V Power MOSFE
1:¥3.0736
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.00683
参考库存:9265
晶体管
MOSFET PTNG 100V N-FET TOLL 240A 4.1 mOhm
1:¥20.8259
10:¥17.7523
100:¥15.368
250:¥14.5996
2,000:¥10.5316
4,000:查看
参考库存:2845
晶体管
MOSFET PTNG N-CH 100V/120V
1:¥50.2511
10:¥42.6462
100:¥36.9623
250:¥35.1204
参考库存:2012
晶体管
MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
1:¥21.7412
10:¥18.5207
100:¥14.7578
500:¥12.9046
5,000:¥9.605
10,000:查看
参考库存:4759
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