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晶体管
FDA33N25参考图片

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FDA33N25

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库存:4,694(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥16.4415
16.4415
10
¥13.9894
139.894
100
¥11.1418
1114.18
500
¥9.7632
4881.6
1,000
¥8.0682
8068.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-3PN-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
250 V
Id-连续漏极电流
33 A
Rds On-漏源导通电阻
94 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
245 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
UniFET
封装
Tube
高度
20.1 mm
长度
16.2 mm
系列
FDA33N25
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
68 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
142 ns
工厂包装数量
450
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
77 ns
典型接通延迟时间
33 ns
单位重量
6.401 g
商品其它信息
优势价格,FDA33N25的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET -60V, -12A, Dual P- Channel Power MOSFET
1:¥6.9947
10:¥6.0681
100:¥4.7008
500:¥3.4804
2,500:¥2.4521
5,000:查看
参考库存:42363
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Silicon AF TRANSISTOR
10,000:¥0.18419
50,000:¥0.18419
参考库存:42366
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Trans GP BJT NPN 120V 0.7A
1:¥5.0737
10:¥4.1697
100:¥2.6894
1,000:¥2.147
2,000:¥1.8193
参考库存:42369
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTOR
1:¥1.7628
10:¥1.2317
100:¥0.51528
1,000:¥0.35369
10,000:¥0.23843
20,000:查看
参考库存:42372
晶体管
MOSFET 45V, 4V Driving Volt N Channel, Single
1:¥12.9046
10:¥10.9158
100:¥8.7575
500:¥7.6501
2,500:¥5.8986
5,000:查看
参考库存:42375
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