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晶体管
STE53NC50参考图片

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STE53NC50

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 500 Volt 53 Amp
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数量单价合计
1
¥272.4769
272.4769
5
¥269.7084
1348.542
10
¥251.3459
2513.459
25
¥240.0459
6001.1475
100
¥214.6096
21460.96
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ISOTOP-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
53 A
Rds On-漏源导通电阻
80 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
460 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PowerMESH
封装
Tube
高度
9.1 mm
长度
38.2 mm
系列
STE53NC50
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
25.5 mm
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
42 S
下降时间
38 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
70 ns
工厂包装数量
100
子类别
MOSFETs
典型接通延迟时间
46 ns
单位重量
28 g
商品其它信息
优势价格,STE53NC50的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Si Transistor Epitaxial
1:¥2.5312
10:¥1.7063
100:¥0.71416
1,000:¥0.48364
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1:¥10.2152
10:¥8.7575
100:¥6.7348
500:¥5.9551
1,000:¥4.7008
5,000:¥4.7008
参考库存:36225
晶体管
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1:¥11.3678
10:¥11.2209
25:¥9.4468
100:¥8.6106
3,300:¥7.5371
9,900:查看
参考库存:6308
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1:¥8.9948
10:¥7.684
100:¥5.9099
500:¥5.2206
1,000:¥4.1245
2,000:¥4.1245
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1:¥9.2999
10:¥7.91
100:¥6.1133
500:¥5.4127
1,000:¥4.2601
参考库存:6237
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