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晶体管
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IPD65R250E6

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数量单价合计
1
¥20.5208
20.5208
10
¥17.4472
174.472
100
¥13.9103
1391.03
500
¥12.2153
6107.65
1,000
¥10.0683
10068.3
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
16.1 A
Rds On-漏源导通电阻
230 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
45 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
208 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
CoolMOS E6
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
76 ns
典型接通延迟时间
11 ns
零件号别名
IPD65R250E6XTMA1 IPD65R25E6XT SP000898656
单位重量
340 mg
商品其它信息
优势价格，IPD65R250E6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BC807-25W-7
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR
1:¥2.147
10:¥1.4577
100:¥0.60681
1,000:¥0.41471
3,000:¥0.32318
参考库存:9992
AUIRFR024N
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 75mOhms
1:¥9.9892
10:¥8.5315
100:¥6.5088
500:¥5.7517
参考库存:6549
NVMFS6H824NT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET T8 80V SO8FL NCH S
1:¥11.1418
10:¥9.4468
100:¥7.3111
500:¥6.4636
1,500:¥4.5313
9,000:查看
参考库存:6995
ZXMP4A16GTA
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 40V P-Chnl UMOS
1:¥6.4523
10:¥5.3675
100:¥3.4578
1,000:¥2.7685
参考库存:4191
PSMN017-60YS,115
Nexperia
晶体管
MOSFET Single N-Channel 60V 174A 74W 24.7mOhms
1:¥4.6104
10:¥3.8533
100:¥2.486
1,000:¥1.9888
1,500:¥1.9888
参考库存:11665
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