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晶体管
BSZ042N04NS G参考图片

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BSZ042N04NS G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
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库存:45,540(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.8366
8.8366
10
¥7.5484
75.484
100
¥5.7969
579.69
500
¥5.1302
2565.1
5,000
¥3.5934
17967
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
4.2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3.3 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
4.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.4 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
14 ns
零件号别名
BSZ042N04NSGATMA1 BSZ42N4NSGXT SP000388300
商品其它信息
优势价格,BSZ042N04NS G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 30V 5A 10W Pwr trnstr Low VCE
1:¥6.3054
10:¥5.1867
100:¥3.3448
1,000:¥2.6781
2,500:¥2.6781
参考库存:5526
晶体管
MOSFET FET 1200V 5A 450mOhm Silicon Carbide SiC
1:¥60.8618
10:¥55.0197
25:¥52.4094
100:¥45.4938
250:¥43.4937
参考库存:4468
晶体管
MOSFET 30V N-Ch Enh FET 20Vgs Low Rdson
1:¥5.537
10:¥4.6443
100:¥2.9945
1,000:¥2.3956
2,000:¥2.3956
参考库存:4583
晶体管
MOSFET P-Chan 200V 1.9 Amp
1:¥12.9046
10:¥10.7576
100:¥8.2942
500:¥7.2659
1,000:¥6.0116
参考库存:5246
晶体管
MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 280 mOhm
1:¥28.0466
100:¥26.9731
500:¥25.6623
参考库存:4272
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