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晶体管
ZXMN6A11DN8TA参考图片

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ZXMN6A11DN8TA

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库存:5,971(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.4523
6.4523
10
¥5.3675
53.675
100
¥3.4578
345.78
500
¥3.4578
1728.9
1,000
¥2.7685
2768.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
3.2 A
Rds On-漏源导通电阻
180 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.1 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.5 mm
长度
5 mm
系列
ZXMN6A111
晶体管类型
2 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4 mm
商标
Diodes Incorporated
下降时间
4.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.5 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
8.2 ns
典型接通延迟时间
1.95 ns
单位重量
74 mg
商品其它信息
优势价格,ZXMN6A11DN8TA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET TrenchMOS N-Channel
1:¥12.4526
10:¥10.5994
100:¥8.1473
500:¥7.1755
800:¥5.6613
参考库存:9213
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
1:¥5.6048
10:¥4.6669
100:¥3.0171
1,000:¥2.4182
2,500:¥2.034
参考库存:8247
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 1.5A 160V
1:¥5.6048
10:¥4.6556
100:¥3.0058
1,000:¥2.4069
参考库存:5220
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 60V 39A 15MOHM
1:¥7.1416
10:¥5.9438
100:¥3.8307
1,000:¥3.0623
1,500:¥2.5877
参考库存:6641
晶体管
MOSFET 40V 1.3mOhm 195A HEXFET 375W 300nC
1:¥20.2835
10:¥17.289
100:¥14.9838
250:¥14.2154
参考库存:3754
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