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晶体管
SSM3J130TU,LF参考图片

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SSM3J130TU,LF

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET Small-signal FET 24.8 nC -4.4A -20V
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数量单价合计
1
¥3.7629
3.7629
10
¥2.7798
27.798
100
¥1.7515
175.15
1,000
¥1.3108
1310.8
3,000
¥1.11418
3342.54
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
UFM-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
4.4 A
Rds On-漏源导通电阻
25.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
300 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
24.8 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
800 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
0.7 mm
长度
2 mm
系列
SSM3J130
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
1.7 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
133 ns
典型接通延迟时间
25 ns
单位重量
6.600 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BSC105N10LSF G
Infineon Technologies
晶体管
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1:¥22.7469
10:¥19.3682
100:¥16.7466
250:¥15.9104
500:¥14.2945
5,000:¥14.2945
参考库存:5311
STB20NM50T4
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1:¥34.1147
10:¥29.041
100:¥25.1312
250:¥23.8204
1,000:¥18.0574
2,000:查看
参考库存:6449
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1:¥1.695
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100:¥0.46895
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.24634
参考库存:11044
IPA60R280P6
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1:¥16.5206
10:¥14.0572
100:¥11.2209
500:¥9.831
1,000:¥8.1473
参考库存:3816
DMG2301LK-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.66105
参考库存:45299
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