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晶体管
VP2206N3-G参考图片

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VP2206N3-G

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库存:4,497(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥14.9838
14.9838
10
¥14.7578
147.578
25
¥12.3735
309.3375
100
¥11.30
1130
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
640 mA
Rds On-漏源导通电阻
900 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Bulk
高度
5.33 mm
长度
5.21 mm
晶体管类型
1 P-Channel
类型
FET
宽度
4.19 mm
商标
Microchip Technology
下降时间
22 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
16 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
16 ns
典型接通延迟时间
4 ns
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
优势价格,VP2206N3-G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET -20V P-channel FemtoFET MOSFET
1:¥3.0736
10:¥2.0792
100:¥0.99101
250:¥0.99101
1,000:¥0.76049
参考库存:3196
晶体管
MOSFET 30V N Channel Power Mosfet
1:¥4.8364
10:¥3.3787
100:¥2.2374
500:¥1.3221
3,000:¥0.89157
9,000:查看
参考库存:10218
晶体管
MOSFET Comp ENH FET 40VDs 20Vgs 1.3W
1:¥5.3788
10:¥4.5313
100:¥2.9154
1,000:¥2.3391
2,500:¥2.3391
参考库存:3881
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS BISS TAPE-13
1:¥3.6838
10:¥2.8476
100:¥1.5481
1,000:¥1.1639
4,000:¥0.99892
参考库存:1986
晶体管
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 100Vdss 20Vgss
1:¥4.1471
10:¥3.4691
100:¥2.1244
1,000:¥1.6385
2,000:¥1.4012
参考库存:17071
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