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晶体管
NGTB40N120L3WG参考图片

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NGTB40N120L3WG

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 IGBT 1200V 40A FS3 LOW VC
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数量单价合计
1
¥43.1095
43.1095
10
¥36.6572
366.572
100
¥31.7304
3173.04
250
¥30.1258
7531.45
500
¥27.0522
13526.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.55 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
160 A
Pd-功率耗散
454 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
商标
ON Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
200 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
30
子类别
IGBTs
单位重量
4.083 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N5794U
TT Electronics
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual NPN Transistor 6 Pin
1:¥280.3869
10:¥273.7086
100:¥268.6349
250:¥258.5666
参考库存:4492
JAN2N2907A
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥43.8779
10:¥39.1093
25:¥35.1882
100:¥32.1146
参考库存:4803
IGW50N65H5AXKSA1
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥47.1775
10:¥42.6462
25:¥40.7252
100:¥35.3464
参考库存:4735
BUL1102E
STMicroelectronics
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) High voltage fast switching NPN power transistor
1:¥7.7631
10:¥6.6331
100:¥5.0963
500:¥4.4974
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JANS2N3637
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥633.0825
5:¥613.8725
10:¥594.6625
25:¥567.8476
参考库存:4549
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