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晶体管
NGTB40N120L3WG参考图片

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NGTB40N120L3WG

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 IGBT 1200V 40A FS3 LOW VC
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数量单价合计
1
¥43.1095
43.1095
10
¥36.6572
366.572
100
¥31.7304
3173.04
250
¥30.1258
7531.45
500
¥27.0522
13526.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.55 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
160 A
Pd-功率耗散
454 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
商标
ON Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
200 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
30
子类别
IGBTs
单位重量
4.083 g
商品其它信息
优势价格,NGTB40N120L3WG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRNS DOUBL RET TAPE7
1:¥2.5312
10:¥1.6724
100:¥0.71416
1,000:¥0.5537
3,000:¥0.41471
参考库存:9307
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 0.7A 160V
1:¥4.1471
10:¥3.4804
100:¥2.1244
1,000:¥1.6385
2,000:¥1.4012
参考库存:5104
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60V PNP MED PWR TRANSISTOR
1:¥4.5313
10:¥3.8194
100:¥2.3278
1,000:¥1.7967
2,000:¥1.5368
参考库存:6503
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40V 300mW
1:¥0.99892
10:¥0.94468
100:¥0.33787
1,000:¥0.22261
3,000:¥0.1695
参考库存:54071
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 2A 50V
1:¥3.7629
10:¥2.8928
100:¥1.5707
1,000:¥1.1752
3,000:¥1.01474
参考库存:9572
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