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晶体管
NGTB40N120L3WG参考图片

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NGTB40N120L3WG

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 IGBT 1200V 40A FS3 LOW VC
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库存:2,414(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥43.1095
43.1095
10
¥36.6572
366.572
100
¥31.7304
3173.04
250
¥30.1258
7531.45
500
¥27.0522
13526.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.55 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
160 A
Pd-功率耗散
454 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
商标
ON Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
200 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
30
子类别
IGBTs
单位重量
4.083 g
商品其它信息
优势价格,NGTB40N120L3WG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 250V N-Channel MOSFET, UniFET
1:¥6.6896
10:¥5.7517
100:¥4.407
500:¥3.8985
1,000:¥3.0736
2,500:¥2.938
参考库存:4560
晶体管
射频(RF)双极晶体管 2-30MHz 250Watts 50Volt Gain 12dB
1:¥898.9489
2:¥874.055
5:¥854.0766
10:¥829.1036
参考库存:3290
晶体管
MOSFET 12V N-Ch Enh FET 2426pF 27.3nC
1:¥3.2318
10:¥2.4973
100:¥1.356
1,000:¥1.01474
3,000:¥0.87575
9,000:¥0.82264
参考库存:44017
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
1:¥2.2261
10:¥1.469
100:¥0.61472
1,000:¥0.42262
3,000:¥0.32996
参考库存:111758
晶体管
MOSFET 200V N-Channel Advance Q-FET
1:¥11.8311
10:¥10.0683
100:¥7.7631
500:¥6.8591
参考库存:6410
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