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晶体管
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FDD86380-F085

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数量单价合计
1
¥6.9156
6.9156
10
¥5.7291
57.291
100
¥3.6951
369.51
1,000
¥2.9606
2960.6
2,500
¥2.4973
6243.25
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
50 A
Rds On-漏源导通电阻
30 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
20 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
75 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.39 mm
长度
6.73 mm
系列
FDD86380_F085
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
13 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
FDD86380_F085
单位重量
260.370 mg
商品其它信息
优势价格，FDD86380-F085的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FDB9409-F085
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 40V 80A N-Chnl Power Trench MOSFET
1:¥13.1419
10:¥11.1418
100:¥8.9157
500:¥7.8422
800:¥6.4975
参考库存:4494
IPL65R099C7AUMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS
1:¥43.3355
10:¥36.8041
100:¥31.8886
250:¥30.2727
3,000:¥21.7412
参考库存:6682
DTA123EMFHAT2L
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP SOT-723 -50V VCC -0.1A IC
1:¥1.5368
10:¥1.03734
100:¥0.43844
1,000:¥0.29945
2,500:¥0.23052
8,000:¥0.20001
参考库存:12038
IPA60R600P7SXKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET CONSUMER
1:¥7.1416
10:¥6.1585
100:¥4.7347
500:¥4.181
1,000:¥3.2996
参考库存:5069
IRFI7446GPBF
Infineon / IR
晶体管
MOSFET TRENCH_MOSFETS
1:¥13.5261
10:¥11.4469
100:¥9.1417
500:¥8.0682
1,000:¥6.6331
参考库存:7015
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