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晶体管
IRFD220PBF参考图片

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IRFD220PBF

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET N-CH 200V HEXFET MOSFET HEXDI
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库存:6,179(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.0682
8.0682
10
¥6.6444
66.444
100
¥5.0963
509.63
500
¥4.3844
2192.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
HVMDIP-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
800 mA
Rds On-漏源导通电阻
800 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
14 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
IRFD
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
0.6 S
下降时间
13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
22 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
19 ns
典型接通延迟时间
7.2 ns
商品其它信息
优势价格,IRFD220PBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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100:¥0.69156
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1:¥8.6106
10:¥7.3789
100:¥5.6387
500:¥4.9833
2,500:¥3.4917
10,000:查看
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1:¥5.6839
10:¥4.7799
100:¥3.0849
1,000:¥2.4634
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