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晶体管
BSZ065N03LSATMA1参考图片

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BSZ065N03LSATMA1

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数量单价合计
1
¥5.6839
5.6839
10
¥4.7686
47.686
100
¥3.0736
307.36
1,000
¥2.4634
2463.4
5,000
¥2.0792
10396
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
5.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
13 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
26 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3.3 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
34 S
下降时间
2.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.4 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12 ns
典型接通延迟时间
2.5 ns
零件号别名
BSZ065N03LS BSZ65N3LSXT SP000799084
商品其它信息
优势价格,BSZ065N03LSATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Silicn AF/SWITCH TRANSISTOR
1:¥3.1527
10:¥2.0792
100:¥0.89157
1,000:¥0.68365
3,000:¥0.52206
参考库存:20242
晶体管
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1:¥2,673.4896
参考库存:3745
晶体管
达林顿晶体管 PNP Pwr Darlington
1:¥8.2264
10:¥6.7461
100:¥5.6161
500:¥4.3392
1,000:¥3.9211
参考库存:4565
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 AF DIGITAL TRANSISTOR
1:¥2.9945
10:¥1.9888
100:¥0.82942
1,000:¥0.56839
3,000:¥0.44522
参考库存:57859
晶体管
IGBT 模块 N-CH 600V 11A
1:¥123.5542
10:¥113.565
25:¥108.8868
参考库存:3764
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