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晶体管
FQB19N20TM参考图片

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FQB19N20TM

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库存:2,966(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.3735
12.3735
10
¥10.5316
105.316
100
¥8.3733
837.33
500
¥7.3337
3666.85
800
¥6.0794
4863.52
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
19.4 A
Rds On-漏源导通电阻
150 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.13 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.83 mm
长度
10.67 mm
系列
FQB19N20
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
9.65 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
14.5 S
下降时间
80 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
190 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
55 ns
典型接通延迟时间
20 ns
单位重量
1.312 g
商品其它信息
优势价格,FQB19N20TM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
2,500:¥3.9776
10,000:¥3.8307
参考库存:32166
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Gen Pur SW
5,000:¥2.4973
10,000:¥2.4069
25,000:¥2.3052
参考库存:32169
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 1.2x1.2mm
10,000:¥0.56839
20,000:¥0.53788
参考库存:32172
晶体管
MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH
3,000:¥1.2656
9,000:¥1.1865
24,000:¥1.12209
45,000:¥1.09836
参考库存:32175
晶体管
IGBT 模块 1700V 200A IGBT
60:¥1,314.6533
参考库存:32178
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