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晶体管
IRFU210PBF参考图片

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IRFU210PBF

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET N-CH 200V HEXFET MOSFET I-PAK
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1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
2.6 A
Rds On-漏源导通电阻
1.5 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
8.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
25 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
IRFR/U
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
0.8 S
下降时间
8.9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
17 ns
工厂包装数量
75
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14 ns
典型接通延迟时间
8.2 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格,IRFU210PBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF-TR 10V 30MA FT
1:¥4.068
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
8,000:¥1.2543
24,000:查看
参考库存:9143
晶体管
MOSFET N Ch 55V 3.2 120A Pwr MOSFET
1:¥13.7521
10:¥11.6842
100:¥9.2999
500:¥8.1473
参考库存:2990
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) MATCHED PAIR
1:¥3.2996
10:¥2.5538
100:¥1.3786
1,000:¥1.03734
3,000:¥0.89948
参考库存:13581
晶体管
MOSFET P-Ch -30V 80A TO220-3 OptiMOS-P2
1:¥15.7522
10:¥13.447
100:¥10.7576
500:¥9.379
参考库存:2025
晶体管
MOSFET T8 80V 1 PART PROLI FERATI
1:¥10.8367
10:¥9.2208
100:¥7.1077
500:¥6.2828
1,500:¥4.3957
9,000:查看
参考库存:2651
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