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晶体管
GS66516B-E01-MR参考图片

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GS66516B-E01-MR

  • GaN Systems
  • 新批次
  • MOSFET 650V, 60A E-Mode GaN
  • 数据手册下载
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库存：5,209(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥331.4855
331.4855
10
¥320.7279
3207.279
25
¥305.9814
7649.535
250
¥284.2289
71057.225
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
GaN Systems
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
GaN
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
GaNPX-5
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
25 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
7 V
Qg-栅极电荷
12 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
-
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.54 mm
长度
11 mm
产品
MOSFET
系列
GS66516x
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9 mm
商标
GaN Systems
下降时间
22 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
12.4 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14.9 ns
典型接通延迟时间
4.6 ns
零件号别名
GS66516B-E01-MR
商品其它信息
优势价格，GS66516B-E01-MR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STL30N10F7
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 0.027 Ohm typ. 8A STripFET VII
1:¥10.5994
10:¥9.0626
100:¥6.9721
500:¥6.1585
3,000:¥4.3166
9,000:查看
参考库存:2600
QPD1004SR
Qorvo
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 .03-1.2GHz 25W 50V GaN
1:¥615.4884
25:¥543.869
100:¥480.5551
200:¥451.7401
参考库存:2690
ALD810024SCL
Advanced Linear Devices
晶体管
MOSFET Quad MOSFET ARRAY Vt=2.40V
1:¥31.1202
10:¥27.8206
25:¥25.0521
50:¥24.3628
参考库存:2602
JAN2N3507
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥272.1718
5:¥258.5666
10:¥251.8092
25:¥231.3675
参考库存:2672
2N7371
Microsemi
晶体管
达林顿晶体管 PNP Darlington Transistor
1:¥1,919.5423
2:¥1,873.3592
5:¥1,846.0019
10:¥1,819.7972
参考库存:2603
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