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晶体管
DMN3024LK3-13参考图片

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DMN3024LK3-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 30V N-CHANNEL
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数量单价合计
1
¥4.0002
4.0002
10
¥3.3335
33.335
100
¥2.034
203.4
1,000
¥1.5707
1570.7
2,500
¥1.3334
3333.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
14.4 A
Rds On-漏源导通电阻
24 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
12.9 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
4.1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
产品
MOSFET Small Signal
系列
DMN3024
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
16.5 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.3 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
16 ns
典型接通延迟时间
2.9 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,DMN3024LK3-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS Low Sat Transisto X1-DFN1006-3,10K
1:¥3.5369
10:¥2.4521
100:¥1.13
1,000:¥0.86784
10,000:¥0.67574
20,000:查看
参考库存:19816
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 230mA SOT-23-3
1:¥3.842
10:¥2.938
100:¥1.5933
1,000:¥1.1978
3,000:¥1.02943
9,000:¥0.96841
参考库存:41497
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS GP XSTR SPCL TR
1:¥2.6103
10:¥1.7967
100:¥0.75258
1,000:¥0.51528
3,000:¥0.40002
参考库存:14320
晶体管
IGBT 模块 IGBT Module 600A 1200V
1:¥1,780.3828
5:¥1,737.5106
10:¥1,694.4011
25:¥1,670.6598
参考库存:3624
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
1:¥2.7685
10:¥1.9549
100:¥0.90626
1,000:¥0.69156
3,000:¥0.59212
参考库存:6014
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