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晶体管
BFU730LXZ参考图片

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BFU730LXZ

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 SiGe:C MMIC Transistor
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库存:11,033(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.7629
3.7629
10
¥2.825
28.25
100
¥1.5255
152.55
1,000
¥1.1413
1141.3
10,000
¥0.92208
9220.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar Wideband
技术
SiGe
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
205
集电极—发射极最大电压 VCEO
10 V
发射极 - 基极电压 VEBO
1.3 V
集电极连续电流
5 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-883C-3
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
53 GHz
输出功率
11.7 dBm
商标
NXP Semiconductors
最大直流电集电极电流
30 mA
Pd-功率耗散
160 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
10000
子类别
Transistors
零件号别名
934066878225
单位重量
0.634 mg
商品其它信息
优势价格,BFU730LXZ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel 900 V, 1.90 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
1:¥12.5995
10:¥10.6785
100:¥8.5315
500:¥7.5032
参考库存:2499
晶体管
MOSFET PCH 2.5V Power MOSFE
1:¥3.0736
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.00683
参考库存:9265
晶体管
MOSFET PTNG 100V N-FET TOLL 240A 4.1 mOhm
1:¥20.8259
10:¥17.7523
100:¥15.368
250:¥14.5996
2,000:¥10.5316
4,000:查看
参考库存:2845
晶体管
MOSFET PTNG N-CH 100V/120V
1:¥50.2511
10:¥42.6462
100:¥36.9623
250:¥35.1204
参考库存:2012
晶体管
MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
1:¥21.7412
10:¥18.5207
100:¥14.7578
500:¥12.9046
5,000:¥9.605
10,000:查看
参考库存:4759
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