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晶体管
IRFP3710PBF参考图片

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IRFP3710PBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET MOSFT 100V 51A 250mOhm 66.7nCAC
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数量单价合计
1
¥19.1309
19.1309
10
¥16.2946
162.946
100
¥12.9837
1298.37
500
¥11.3678
5683.9
1,000
¥9.4468
9446.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
51 A
Rds On-漏源导通电阻
250 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
66.7 nC
Pd-功率耗散
180 W
配置
Single
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
零件号别名
SP001552026
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IRFP3710PBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Prebias Transistor
10,000:¥0.23843
30,000:¥0.22261
50,000:¥0.20792
参考库存:34030
晶体管
MOSFET 40V 60A 200W w/Sensing Diode
800:¥14.2945
2,400:¥13.5261
4,800:¥13.0628
参考库存:34033
晶体管
MOSFET 600V 158mOhm@10V 23A N-Ch E-SRS
480:¥19.5942
960:¥17.5941
参考库存:34036
晶体管
MOSFET 650V CoolMOS CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behavior and ther
2,500:¥3.4917
10,000:¥3.3561
25,000:¥3.2544
参考库存:34039
晶体管
MOSFET 20V 4.9A 2.5W 65mohm @ 4.5V
3,000:¥4.1923
6,000:¥3.9889
9,000:¥3.842
24,000:¥3.7177
参考库存:34042
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