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晶体管
KSE13003TH1ATU参考图片

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KSE13003TH1ATU

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库存:4,018(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.4523
6.4523
10
¥5.3223
53.223
100
¥3.4352
343.52
1,000
¥2.7459
2745.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
400 V
集电极—基极电压 VCBO
700 V
发射极 - 基极电压 VEBO
9 V
集电极—射极饱和电压
0.5 V
最大直流电集电极电流
1.5 A
增益带宽产品fT
4 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
KSE13003T
直流电流增益 hFE 最大值
40
高度
9.4 mm (Max)
长度
10.1 mm (Max)
封装
Tube
宽度
4.7 mm (Max)
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
1.5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
8
Pd-功率耗散
30000 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
零件号别名
KSE13003TH1ATU_NL
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,KSE13003TH1ATU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET SOP-8 MOSFET
2,500:¥3.7855
5,000:¥3.4465
10,000:¥3.1527
25,000:¥3.0962
参考库存:40722
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥336.5592
参考库存:40725
晶体管
MOSFET N-Ch 600 V 1.6 Ohm 3.3 A MDmesh II
1:¥12.0684
10:¥10.2943
100:¥7.91
500:¥7.0173
2,500:¥4.9155
10,000:查看
参考库存:40728
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥112.5706
250:¥102.6605
500:¥95.9709
1,000:¥88.0609
参考库存:40731
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥1,146.5319
参考库存:40734
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