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晶体管
NSS20201LT1G参考图片

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NSS20201LT1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 20V NPN LOW VCE(SAT) XTR
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库存:10,603(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.2996
3.2996
10
¥2.486
24.86
100
¥1.356
135.6
1,000
¥1.01474
1014.74
3,000
¥0.87575
2627.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
20 V
集电极—基极电压 VCBO
20 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
0.004 V
最大直流电集电极电流
2 A
增益带宽产品fT
150 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
NSS20201L
高度
0.94 mm
长度
2.9 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.3 mm
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
2 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
200
Pd-功率耗散
540 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,NSS20201LT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
1:¥3.5369
10:¥2.938
100:¥1.7967
1,000:¥1.3899
3,000:¥1.1865
参考库存:5000
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS NPN 200mW
1:¥1.6159
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.24634
参考库存:21862
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP BJT NPN 12V 2A
1:¥4.3053
10:¥3.5595
100:¥2.1696
1,000:¥1.6724
2,000:¥1.4238
参考库存:3492
晶体管
MOSFET NFET 30V 35A 15MOHM
1:¥5.3788
10:¥4.4748
100:¥2.8928
1,000:¥2.3052
参考库存:4372
晶体管
MOSFET 20V 4.1A P-channel Trench MOSFET
1:¥3.7629
10:¥2.6103
100:¥1.1978
1,000:¥0.92208
3,000:¥0.78422
参考库存:4776
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