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晶体管
IPA057N08N3 G参考图片

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IPA057N08N3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 80V 60A TO220FP-3 OptiMOS 3
  • 数据手册下载
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库存:5,238(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥14.3736
14.3736
10
¥12.2153
122.153
100
¥9.7632
976.32
500
¥8.5315
4265.75
1,000
¥7.1077
7107.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
5.7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
18 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
39 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
16.15 mm
长度
10.65 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.85 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
42 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
36 ns
典型接通延迟时间
17 ns
零件号别名
IPA057N08N3GXKSA1 IPA57N8N3GXK SP000454442
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IPA057N08N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Channel UltraFET
1:¥13.447
10:¥11.4469
100:¥9.1417
500:¥7.9891
800:¥6.5992
参考库存:5203
晶体管
IGBT 晶体管 600V, 40A Field Stop IGBT
1:¥38.8042
10:¥32.9621
100:¥28.589
250:¥27.12
500:¥24.2837
参考库存:3295
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5
1:¥97.5868
10:¥89.7446
25:¥86.0608
100:¥75.8456
参考库存:2610
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP BJT NPN 50V 0.15A 6PIN
1:¥3.1527
10:¥2.5877
100:¥1.582
1,000:¥1.2204
8,000:¥0.96841
24,000:查看
参考库存:13186
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS BR XSTR SPCL TR
1:¥2.8476
10:¥1.8306
100:¥0.78422
1,000:¥0.60681
10,000:¥0.4068
20,000:查看
参考库存:52219
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