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晶体管
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FDP55N06

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库存:3,029(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.2153
12.2153
10
¥10.3734
103.734
100
¥7.9891
798.91
500
¥7.0964
3548.2
1,000
¥5.5935
5593.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
55 A
Rds On-漏源导通电阻
22 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
114 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FDP55N06
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
33 S
下降时间
95 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
130 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
70 ns
典型接通延迟时间
30 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,FDP55N06的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFT 80V 38A 29mOhm 37nC
1:¥8.8366
10:¥7.5484
100:¥5.7969
500:¥5.1302
1,000:¥4.0454
2,000:¥4.0454
参考库存:5938
晶体管
MOSFET High Duty Cycle Sync Buck NexFET
1:¥9.7632
10:¥8.2942
100:¥6.3958
500:¥5.65
2,500:¥3.955
10,000:查看
参考库存:7526
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 6mOhm 110A STripFET VII
1:¥21.5943
10:¥18.3625
100:¥14.6787
500:¥12.8368
1,000:¥10.5994
参考库存:5339
晶体管
IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
1:¥43.6406
10:¥37.1092
100:¥32.1146
250:¥30.51
500:¥27.3573
参考库存:4854
晶体管
达林顿晶体管 NPN Epitaxial Sil
1:¥5.0737
10:¥4.2149
100:¥2.7233
1,000:¥2.1809
参考库存:9966
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