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晶体管
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FDP55N06

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库存:3,029(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.2153
12.2153
10
¥10.3734
103.734
100
¥7.9891
798.91
500
¥7.0964
3548.2
1,000
¥5.5935
5593.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
55 A
Rds On-漏源导通电阻
22 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
114 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FDP55N06
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
33 S
下降时间
95 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
130 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
70 ns
典型接通延迟时间
30 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,FDP55N06的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 20V/1.6A LOADSWITCH IN SOT457
1:¥3.7629
10:¥2.8928
100:¥1.5707
1,000:¥1.1752
3,000:¥1.01474
参考库存:25975
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SOT-563 DUAL 4.7/47 K OH
1:¥2.6103
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
4,000:¥0.71416
8,000:¥0.66896
参考库存:13365
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2700-3500 MHz, 60 W PEAK, 50V WIDEBAND RF POWER GaN TRANSISTOR
1:¥1,807.8192
5:¥1,767.4782
10:¥1,731.3634
25:¥1,705.7689
50:¥1,643.8336
参考库存:25980
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SOT-1123 PBRT TRANSISTOR
1:¥2.8476
10:¥2.147
100:¥1.2317
1,000:¥0.92208
8,000:¥0.7684
24,000:查看
参考库存:25983
晶体管
JFET N Ch JFET Engineering Hold
3,000:¥3.9776
9,000:¥3.8307
24,000:¥3.7064
参考库存:20373
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