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晶体管
IRFD024PBF参考图片

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IRFD024PBF

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFD024
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数量单价合计
1
¥9.5259
9.5259
10
¥7.8422
78.422
100
¥5.989
598.9
500
¥5.1528
2576.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
HVMDIP-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
2.5 A
Rds On-漏源导通电阻
100 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
25 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
1.3 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
IRFD
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
0.9 S
下降时间
42 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
58 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
13 ns
商品其它信息
优势价格,IRFD024PBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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100:¥0.50737
1,000:¥0.34578
3,000:¥0.27685
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