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晶体管
RN2506(TE85L,F)参考图片

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RN2506(TE85L,F)

  • Toshiba
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 预偏置 BRT PNP 2-in-1 Ic -100mA -50V VCEO
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数量单价合计
1
¥3.2318
3.2318
10
¥1.7741
17.741
100
¥0.76049
76.049
1,000
¥0.58421
584.21
3,000
¥0.44522
1335.66
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
双极晶体管 - 预偏置
RoHS
配置
Dual
晶体管极性
PNP
典型输入电阻器
4.7 kOhms
典型电阻器比率
0.1
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-25-5
直流集电极/Base Gain hfe Min
80
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 50 V
集电极连续电流
- 100 mA
Pd-功率耗散
300 mW
系列
RN2506
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
商标
Toshiba
最大直流电集电极电流
- 100 mA
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,RN2506(TE85L,F)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET SOT-23 MOSFET
12,000:¥0.41471
24,000:¥0.4068
参考库存:40216
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥110.6496
250:¥100.8864
500:¥94.4341
1,000:¥86.6032
参考库存:40219
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor
100:¥325.3383
250:¥297.3708
参考库存:40222
晶体管
射频(RF)双极晶体管 L-Band/Bipolar Radar Transistor
10:¥2,347.5411
25:¥2,314.6468
参考库存:40225
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor
100:¥730.9066
参考库存:40228
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