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晶体管
DMN63D8LDWQ-7参考图片

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DMN63D8LDWQ-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET Dual N-Ch Enh FET 30Vdss 20Vdss 800mA
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数量单价合计
1
¥2.8476
2.8476
10
¥1.9323
19.323
100
¥0.80682
80.682
1,000
¥0.5537
553.7
3,000
¥0.43053
1291.59
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
220 mA
Rds On-漏源导通电阻
2.8 Ohms, 2.8 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
870 pC, 870 pC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
300 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMN63
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
80 mS, 80 mS
下降时间
6.3 ns, 6.3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.2 ns, 3.2 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12 ns, 12 ns
典型接通延迟时间
3.3 ns, 3.3 ns
单位重量
7.500 mg
商品其它信息
优势价格,DMN63D8LDWQ-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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