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晶体管
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FQB50N06LTM

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库存：4,329(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.4524
8.4524
10
¥7.232
72.32
100
¥5.5596
555.96
500
¥4.9155
2457.75
800
¥3.8759
3100.72
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
52.4 A
Rds On-漏源导通电阻
21 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
3.75 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
QFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.83 mm
长度
10.67 mm
系列
FQB50N06L
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
9.65 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
40 S
下降时间
145 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
380 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
80 ns
典型接通延迟时间
20 ns
单位重量
1.312 g
商品其它信息
优势价格，FQB50N06LTM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PIMZ2,115
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS DOUBLE TAPE-7
3,000:¥0.41471
9,000:¥0.36838
24,000:¥0.34578
45,000:¥0.30736
99,000:¥0.29945
参考库存:16049
BCM857QASZ
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BCM857QAS DFN1010B-6
1:¥2.9154
10:¥2.2148
100:¥1.1978
1,000:¥0.89948
参考库存:16052
IPL65R099C7
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS
1:¥43.3355
10:¥36.8041
100:¥31.8886
250:¥30.2727
3,000:¥21.7412
参考库存:16055
DMT4003SCT
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
1:¥10.7576
10:¥9.1417
100:¥7.0286
500:¥6.2037
1,000:¥4.9042
参考库存:2208
FDBL86063-F085
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NMOS TOLL 100V 2.0 MOHM
1:¥31.3462
10:¥26.668
100:¥23.1311
250:¥21.8994
2,000:¥15.7522
4,000:查看
参考库存:3850
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