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晶体管
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FQP19N20

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数量单价合计
1
¥11.0627
11.0627
10
¥9.4468
94.468
100
¥7.2207
722.07
500
¥6.3845
3192.25
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
19.4 A
Rds On-漏源导通电阻
150 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
140 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
QFET
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FQP19N20
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
14.5 S
下降时间
80 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
190 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
55 ns
典型接通延迟时间
20 ns
零件号别名
FQP19N20_NL
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格，FQP19N20的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ZDT6753TA
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN/PNP 100V
1:¥8.6106
10:¥7.3563
100:¥5.65
500:¥4.9946
1,000:¥3.9437
参考库存:5955
IPS80R2K4P7AKMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET
1:¥6.4523
10:¥5.3901
100:¥3.4804
1,000:¥2.7911
参考库存:3383
SMBT3906DW1T1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS GP XSTR PNP 40V
1:¥2.9154
10:¥2.1696
100:¥1.1752
1,000:¥0.88366
3,000:¥0.76049
9,000:¥0.71416
参考库存:8478
BSM200GB60DLC
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 600V 200A DUAL
1:¥739.4268
5:¥725.8329
10:¥693.1759
25:¥670.1239
参考库存:3162
PZT3906
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Transistor General Purpose
1:¥2.6894
10:¥2.0905
100:¥1.13
1,000:¥0.85315
4,000:¥0.72998
参考库存:14762
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