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晶体管
SI7461DP-T1-GE3参考图片

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SI7461DP-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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数量单价合计
1
¥18.0574
18.0574
10
¥14.9838
149.838
100
¥11.6051
1160.51
500
¥10.1474
5073.7
3,000
¥10.1474
30442.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
14.4 A
Rds On-漏源导通电阻
14.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
121 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
5.4 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SI7
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
31 S
下降时间
90 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
205 ns
典型接通延迟时间
20 ns
零件号别名
SI7461DP-GE3
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格，SI7461DP-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FL6L52010L
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10,000:¥1.2317
参考库存:26256
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JFET JFET P-Channel 30V 10Vgs 15Vds -90mA
1:¥20.9728
10:¥16.9048
100:¥13.5261
500:¥11.9102
参考库存:26259
BCX22
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN AMPL/SWITCH 125Vcbo 125Vceo 5.0
1:¥55.3248
10:¥54.7824
25:¥49.946
100:¥45.1096
参考库存:5730
BUJ303AD,118
WeEn Semiconductors
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN power transistor
1:¥6.3054
10:¥5.0059
100:¥3.2318
1,000:¥2.5764
2,500:¥2.1809
参考库存:26264
2SB1386T100Q
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 20V 5A
1:¥4.5313
10:¥3.7516
100:¥2.2939
1,000:¥1.7628
2,000:¥1.5029
参考库存:5701
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