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晶体管
MMBT6520LT1G参考图片

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MMBT6520LT1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 500mA 350V PNP
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数量单价合计
1
¥2.6894
2.6894
10
¥1.7063
17.063
100
¥0.72998
72.998
1,000
¥0.56048
560.48
3,000
¥0.43053
1291.59
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 350 V
集电极—基极电压 VCBO
- 350 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
- 1 V
最大直流电集电极电流
0.5 A
增益带宽产品fT
200 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MMBT6520L
直流电流增益 hFE 最大值
200
高度
0.94 mm
长度
2.9 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.3 mm
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
- 0.5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
20
Pd-功率耗散
225 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,MMBT6520LT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET TAPE13 MOSFET
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
4,000:¥1.5594
参考库存:37649
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Gen Pur SS
1:¥17.1308
10:¥15.2098
100:¥12.2153
500:¥10.6785
参考库存:13367
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥4.6104
10:¥3.6838
100:¥2.8024
500:¥2.3052
1,000:¥1.8419
3,000:¥1.6724
参考库存:36307
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.370 Ohm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220 package
1:¥11.9893
10:¥10.1474
100:¥8.1473
500:¥7.1303
参考库存:3536
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 0.5A 300V 15W NPN
1:¥4.2262
10:¥3.4917
100:¥2.1357
1,000:¥1.6498
2,500:¥1.4012
参考库存:38882
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