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晶体管
FDP120N10参考图片

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FDP120N10

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库存:2,169(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥15.6731
15.6731
10
¥13.2888
132.888
100
¥10.5994
1059.94
500
¥9.2999
4649.95
1,000
¥7.7631
7763.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
74 A
Rds On-漏源导通电阻
12 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
170 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PowerTrench
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FDP120N10
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
105 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
39 ns
典型接通延迟时间
27 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,FDP120N10的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET P Chan-45V+/-16A 4V Drive
1:¥10.9836
10:¥9.379
100:¥7.1755
500:¥6.3393
2,500:¥4.4409
10,000:查看
参考库存:43946
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥492.0811
5:¥471.4134
10:¥463.1192
25:¥434.146
参考库存:43949
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 2.0x2.1mm
3,000:¥0.50737
9,000:¥0.45313
24,000:¥0.42262
参考库存:43952
晶体管
MOSFET 900V 3A N Channel Power Mosfet
1:¥12.5204
10:¥11.0627
100:¥8.8366
500:¥6.8026
2,500:¥4.859
5,000:查看
参考库存:43955
晶体管
JFET P-Ch JFET 40V 0.5nA 10Vgs 15Vds -90mA
658:¥10.2943
1,000:¥8.5315
2,500:¥7.6049
10,000:¥7.2998
参考库存:43958
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