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晶体管
STGP10NB60S参考图片

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STGP10NB60S

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 10 Amp
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库存:5,821(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥13.9894
13.9894
10
¥11.9102
119.102
100
¥9.5259
952.59
500
¥8.2942
4147.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
20 A
Pd-功率耗散
80 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGP10NB60S
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
20 A
高度
9.15 mm
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
10 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,STGP10NB60S的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 1200V 35A 3-PHASE
1:¥562.9321
5:¥552.6378
10:¥538.3433
25:¥527.7326
参考库存:42782
晶体管
MOSFET N-Ch 200 Volt 7 Amp
1:¥9.2999
10:¥7.91
100:¥6.0681
500:¥5.3675
2,500:¥3.7629
10,000:查看
参考库存:5437
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT
1:¥53.788
10:¥47.9459
25:¥43.1886
50:¥41.2676
参考库存:42787
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Sgle PNP, -100mA
3,000:¥0.29945
9,000:¥0.25312
24,000:¥0.23843
45,000:¥0.22261
99,000:¥0.20001
参考库存:42790
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTOR
1:¥2.7685
10:¥1.921
100:¥0.79891
1,000:¥0.54579
3,000:¥0.43053
参考库存:42793
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