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晶体管
2SB1189T100R参考图片

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2SB1189T100R

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 80V 0.7A
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库存:3,840(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.1471
4.1471
10
¥3.39
33.9
100
¥2.0679
206.79
1,000
¥1.5933
1593.3
2,000
¥1.356
2712
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
MPT-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 80 V
集电极—基极电压 VCBO
- 80 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
集电极—射极饱和电压
- 0.2 V
最大直流电集电极电流
0.7 A
增益带宽产品fT
100 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2SB1189
直流电流增益 hFE 最大值
390
高度
1.5 mm
长度
4.5 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
2.5 mm
商标
ROHM Semiconductor
集电极连续电流
- 0.7 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
120
Pd-功率耗散
2 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,2SB1189T100R的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥360.6847
5:¥349.7802
10:¥339.5537
25:¥318.3436
参考库存:2159
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥144.1541
10:¥131.0122
25:¥121.249
50:¥114.6498
参考库存:2145
晶体管
MOSFET N-Ch 650 V 0.033 Ohm 69 A MDmesh(TM)
1:¥170.4266
5:¥168.6638
10:¥157.2169
25:¥150.1431
参考库存:2279
晶体管
MOSFET N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
1:¥12.5204
10:¥10.5994
100:¥8.5315
500:¥7.4354
1,000:¥6.1585
参考库存:3017
晶体管
MOSFET Automotive-grade dual N-channel 60 V, 27 mOhm typ., 20 A STripFET II Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 DI package
1:¥7.7631
10:¥6.5653
100:¥5.0398
500:¥4.4522
3,000:¥3.1188
9,000:查看
参考库存:4784
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