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晶体管
STGY40NC60VD参考图片

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STGY40NC60VD

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 N Ch 600V 50A Max247
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数量单价合计
1
¥84.4449
84.4449
10
¥76.3767
763.767
25
¥72.8398
1820.995
100
¥63.2348
6323.48
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
Max247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
栅极/发射极最大电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGY40NC60VD
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
80 A
高度
20.3 mm
长度
15.9 mm
宽度
5.3 mm
商标
STMicroelectronics
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
商标名
PowerMESH
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格,STGY40NC60VD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET
5,000:¥5.0059
10,000:¥4.8138
参考库存:30270
晶体管
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800:¥23.6622
2,400:¥22.5096
参考库存:30273
晶体管
IGBT 模块
100:¥350.7746
250:¥343.3957
参考库存:30276
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SOT23 NPN 0.6A 40V G enPur
15,000:¥0.14577
24,000:¥0.13786
参考库存:30279
晶体管
MOSFET 600V, 9,5A, 0,38OHMS N channel Mosfet
15,000:¥5.7517
参考库存:30282
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